各人在GD32 MCU应用时，，，，，，，是否会遇到以下应用需求：希望在MCU掉电时生涯一定的数据或标记，，，，，，，用以纪录一些要害的数据。。。。。

以GD32E103为例，，，，，，，数据的存储介质可以选择内部Flash或者备份数据寄存器。。。。。

如下图所示，，，，，，，片内Flash具有10年的生涯寿命，，，，，，，10万次擦写，，，，，，，页擦除时间在3.5ms，，，，，，，字写入时间在40us左右，，，，，，，Flash特征决议Flash需要先擦后写，，，，，，，擦写要求的电压规模为供电规模：1.8V-3.6V.

GD32 MCU基本都支持备份数据寄存器，，，，，，，GD32E103系列支持84字节数据寄存器，，，，，，，可以在VDD掉电，，，，，，，VBAT有电的情形下举行数据生涯，，，，，，，备份数据寄存器不需要擦除可以直接写入，，，，，，，数据更新速率较快。。。。。

下面为各人先容数据掉电生涯的实现，，，，，，，电源掉电的检测可以选择使用LVD低压检测功效，，，，，，，如下图所示，，，，，，，LVD 的功效是检测 VDD / VDDA 供电电压是否低于低电压检测阈值，，，，，，，该阈值由电源控制寄存器（PMU_CTL） 中的 LVDT[2:0]位举行设置。。。。。 LVD 通过 LVDEN 置位使能，，，，，，，位于电源控制和状态寄存器（PMU_CS） 中的 LVDF 位体现低电压事务是否泛起，，，，，，，该事务毗连至 EXTI 的第 16 线，，，，，，，用户可以通过设置 EXTI 的第 16 线爆发响应的中止。。。。。

使用LVD检测到掉电事务后，，，，，，，从LVD阈值到PDR电压之间会有一个时间窗口，，，，，，，可用以实现掉电数据生涯，，，，，，，这个时间由掉电速率决议，，，，，，，因而对数据生涯的时间要求很高。。。。。若系统供电只有VDD供电，，，，，，，VBAT外部未接电池或者需要生涯的数据较量多的情形下，，，，，，，可以选择使用内部Flash作为存储介质，，，，，，，为了节约数据更新的时间，，，，，，，可以接纳双备份的方法，，，，，，，在系统运行的历程中，，，，，，，先擦除一个备份，，，，，，，检测到掉电事务后，，，，，，，节约擦除时间，，，，，，，直接向备份区域写入更新数据；；；；；；；若系统供电VBAT外接了电池，，，，，，，且更新的数据小于84字节，，，，，，，可以选择将数据写入备份数据寄存器，，，，，，，其更新速率更快。。。。。另外若是评估下来掉电时间过快来缺乏更新数据的话，，，，，，，可以从硬件上减缓掉电速率，，，，，，，以预留更长的时间窗口。。。。。